不屬于，長(cháng)江存儲科技有限公司與紫光股份同為紫光集團旗下子公司。
長(cháng)江存儲科技有限責任公司于2016年7月26日在武漢東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區登記成立。法定代表人趙偉國，公司經(jīng)營(yíng)范圍包括半導體集成電路科技領(lǐng)域內的技術(shù)開(kāi)發(fā)；集成電路及相關(guān)產(chǎn)品的設計等。
長(cháng)江存儲科技有限責任公司具體信息如下：
經(jīng)營(yíng)狀態(tài)：存續（在營(yíng)、開(kāi)業(yè)、在冊）
成立日期：2016年07月26日
注冊資本：5627473.69 萬(wàn)
法定代表人：趙偉國
公司類(lèi)型：有限責任公司（非自然人投資或控股的法人獨資）
經(jīng)營(yíng)范圍：半導體集成電路科技領(lǐng)域內的技術(shù)開(kāi)發(fā)；集成電路及相關(guān)產(chǎn)品的設計、研發(fā)、測試、封裝、制造與銷(xiāo)售；貨物進(jìn)出口、技術(shù)進(jìn)出口、代理進(jìn)出口（不含國家禁止或限制進(jìn)出口的貨物或技術(shù)）。（依法須經(jīng)審批的項目，經(jīng)相關(guān)部門(mén)審批后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)）
中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)，以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(cháng)江存儲、專(zhuān)注于移動(dòng)存儲芯片的合肥長(cháng)鑫以及致力于普通存儲芯片的晉華集成三大企業(yè)為主，2016年12月底，由長(cháng)江存儲主導的國家存儲器基地正式動(dòng)工，計劃分三個(gè)階段，共建三3D-NAND Flash廠(chǎng)房。第一階段的廠(chǎng)房已2017年9月完成建設，預計2018年第三季度開(kāi)始搬入機臺，第四季進(jìn)行試產(chǎn)，初期投片量不超過(guò)1萬(wàn)片，用于生產(chǎn)32層3D-NAND Flash產(chǎn)品，并預計在自家的64層技術(shù)成熟后，再視情況擬定第二、第三期的生產(chǎn)計劃。
